Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 47: Fachsitzung

O 47.3: Vortrag

Dienstag, 23. März 1999, 18:15–18:30, PC4

Untersuchung von Wachstum und Stabilität organischer Heterostrukturen mit Röntgenstreuung: Analyse von Rodscans — •F. Schreiber¹, M. Gerstenberg², B. Edinger¹, B. Toperverg¹, S. Forrest², G. Scoles² und H. Dosch¹ — ¹MPI für Metallforschung, 70569 Stuttgart — ²Princeton University, Princeton, NJ 08544

Organische Heterostrukturen (PTCDA auf SAMs) wurden mit Röntgenstreuung in der Geometrie der GID (grazing-incidence diffraction) und in der Rodscan-Geometrie untersucht. Neben der Bestimmung der epitaktischen Relation (in-plane) mit GID können mit Rodscans detaillierte Aussagen über die out-of-plane-Struktur gewonnen werden. Zwischen dem Bragg-Peak des kristallinen Adsorbates und dem Substrat-Rod treten charakteristische Interferenzen auf, die zur Bestimmung des relativen Abstandes (entsprechend Bindungslängen) der beiden Gitter (Adsorbat und Substrat) benutzt werden. Verschiedene Szenarien bis hin zur destruktiven Interferenz der beiden Streubeiträge sowie die Rolle der Rauhigkeit werden diskutiert. Die Empfindlichkeit der auftretenden Interferenzmuster wird ausgenutzt, um mit temperaturabhängigen Messungen die Stabilität der Grenzflächen nahe dem Phasenübergang des SAMs zu untersuchen. Bei Erreichen des Schmelzpunktes des SAMs (∼100 ^∘C) setzen Umordnungsprozesse in der PTCDA-Schicht ein, doch ist die Grenzfläche auf kurzen Zeitskalen relativ stabil. Bei Temperaturen oberhalb von (∼140 ^∘C) zeichnen sich Instabilitäten der Grenzfläche und signifikante morphologische Veränderungen in der PTCDA-Schicht ab.