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Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 54: Hauptvortrag

O 54.1: Hauptvortrag

Mittwoch, 24. März 1999, 17:45–18:15, PC4

Verspannung in epitaktischen Co/Cu Filmen und ihr Einfluss auf die magnetischen Eigenschaften — •R. Allenspach, A. Bischof und M. Hunziker — IBM Research Division, Zurich Research Laboratory, CH-8803 Rüschlikon, Schweiz

Schon kleine Gitterfehlanpassungen führen bei epitaktischem Wachstum zu Verspannungen, die im Vergleich zu makroskopisch angelegtem Druck sehr gross sind. Mithilfe der Biegebalkentechnik können solche Oberflächenspannungen während des Wachstums direkt gemessen werden. Das pseudomorphe Wachstum von Co auf Cu(001) führt zu einem linearen Spannungsverhalten bis zu einer Filmdicke, bei der elastische Energie durch Einbau von Versetzungen abgebaut wird. Alternativ kann der Film teilweise entspannt werden durch Dekoration mit Cu im sub-ML Bereich. Wir zeigen, dass diese Spannungszustände direkte Auswirkung auf die magnetischen Eigenschaften der Filme haben.

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