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Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 9: Elektronische Struktur (Experiment und Theorie) (I)

Montag, 22. März 1999, 16:15–19:00, S1

16:15 O 9.1 Der Einfluß ionisierter Dotieratome auf die Landauquantisierung: Eine Rastertunnelspektroskopieanalyse auf InAs(110) — •M. Morgenstern, Chr. Witteneven, R. Dombrowski, V. Gudmundson und R. Wiesendanger
16:30 O 9.2 Characterization of cubic InN films by core and valence level photoemission — •C.-H. Chen, Th. Frey, A. P. Lima*, D. Schikora, L. Aballe, and K. Horn
16:45 O 9.3 Elektronische Oberflächeneigenschaften ternärer III-Nitride — •M. Schneider, S.P. Grabowski und W. Mönch
17:00 O 9.4 Die elektronische Struktur von HgSe(110) — •N. Orlowski, J. Augustin, Z. Gołacki, C. Janowitz und R. Manzke
17:15 O 9.5 Unbesetzte und besetzte Oberflächenzustände der (√3x√3)R30 und der 3x3-Rekonstruktion von 6H-SiC(0001) — •M. Laurenzis, L. Duda, M. Krieftewirth, L. S. O. Johansson und B. Reihl
17:30 O 9.6 Elektronische Eigenschaften der Molybdän-Dichalkogenide im Hinblick auf ihre photovoltaische Eignung — •Th. Böker, D. Schröder, A. Müller, C. Janowitz und R. Manzke
17:45 O 9.7 Photoemissionsexperimente zur Bestimmung der elektronischen Struktur von WTe2 — •D. Ehm, R. Claessen, S. Hüfner, P. Blaha, K. Friemelt und E. Bucher
18:00 O 9.8 Spinaufgelöste Elektronenespektroskopie über Anregung mit zirkular polarisierter Strahlung an den Schichthalbleitern WSe2 und InSe — •N. Müller, S.–W. Yu, R. David, U. Heinzmann, C. Pettenkofer und A. Klein
18:15 O 9.9 Die Metallizität der Si(111)-(7×7)-Oberfläche im Lichte von NMR-Relaxationsmessungen — •H. Winnefeld, H.J. Jänsch, G. Kirchner, O. Kühlert, R. Platzer, R. Schillinger, C. Weindel und D. Fick
18:30 O 9.10 Oberwellenspektroskopie an Diamant(111) — •R. Schliesing und H. Zacharias
18:45 O 9.11 Fano-Resonanz in der Photoemission — •W.-D. Schneider, F. Patthey, M.-H. Schaffner und B. Delley
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