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O: Oberflächenphysik
O 9: Elektronische Struktur (Experiment und Theorie) (I)
O 9.6: Talk
Monday, March 22, 1999, 17:30–17:45, S1
Elektronische Eigenschaften der Molybdän-Dichalkogenide im Hinblick auf ihre photovoltaische Eignung — •Th. Böker, D. Schröder, A. Müller, C. Janowitz und R. Manzke — Institut für Physik, Humboldt-Universität zu Berlin, Invalidenstraße 110, D-10115 Berlin
Die Molybdän-Dichalkogenide MoX2 (X=S, Se, Te) gehören zu der Familie der Schichtkristalle, deren Struktur durch das Aufeinanderstapeln von hexagonal gepackten Lagen aus X-Mo-X X-Mo-X entsteht. Die Valenzbandstruktur der oben genannten drei Molybdän-Dichalko-genide wurde mittels winkelaufgelöster Photoemission im CFS-Modus (constant final state) entlang der hochsymmetrischen Richtungen Γ A, Γ M, Γ K und MK bestimmt. Durch einen Vergleich lassen sich Gemeinsamkeiten wie die Lage des Valenzbandmaximums am Γ-Punkt und die Spin-Bahn-Aufspaltung des Mo-4d-Zustandes am K-Punkt feststellen. Unterschiede zeigen sich z. B. in der Größe der Aufspaltung, bei der Lage des vom Mo-4dz2 abgeleiteten Zustandes in Abhängigkeit des c/a-Verhältnisses und in der Größe der fundamentalen Energielücke. Letztere variiert zwischen 1.1 eV und 1.74 eV. Im Hinblick auf eine Eignung für photovoltaische Anwendungen werden diese Eigenschaften diskutiert.
Diese Arbeit wurde durch das Bundesministerium für Bildung, Wissenschaft, Forschung und Technologie (BMBF) unter der Projektnummer #05 SEKHA9 gefördert.