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Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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TT: Tiefe Temperaturen

TT 15: Postersitzung II: Elektronische Eigenschaften (1-12), Josephson-Kontakte (13-27), Heavy Fermions (28-40), Theorie HTSL (41-48), M-I-Überg
änge, Korrelierte Systeme (49-79)

TT 15.7: Poster

Mittwoch, 24. März 1999, 14:30–18:00, Foy

Buckling in den CuO2-Ebenen: Elektron-Phonon-Kopplung und Raman-Spektren — •Matthias Opel1, Francesca Venturini1, Rudi Hackl1, Thomas P. Devereaux2, Attila Virosztek3, Alfred Zawadowski3, Andreas Erb4, Eric Walker4, Helmuth Berger5 und László Forró51Walther-Meissner-Institut, 85748 Garching — 2George Washington University, Washington, DC 20052 — 3Technical University of Budapest, H-1521 Budapest — 4Université de Genève, CH-1211 Genève — 5Ecole Polytechnique Fédérale, CH-1015 Lausanne

Wir präsentieren ein Modell zur Erklärung des „Buckling“ in den CuO2-Ebenen in bestimmten Kupraten. Dabei gehen wir von der Anwesenheit eines elektrischen Feldes aus, welches von verschiedenwertigen Atomen oberhalb und unterhalb der Ebenen hervorgerufen wird. Das „Buckling“ ist begleitet von einer starken Kopplung der außer-Phase-Schwingung der Sauerstoffatome (B1g-Mode) an das Elektronensystem.

Die Stärke des elektrischen Feldes kann aus Raman-Messungen bestimmt werden. Studien an supraleitenden und antiferromagnetischen YBa2Cu3O6+x- und Bi2Sr2(Ca1−xYx)Cu2O8-Einkristallen liefern eine direkte experimentelle Bestätigung unseres Modells. Die Symmetriebrechung, die in Bi2212 durch die teilweise Substitution von Ca durch Y hervorgerufen wird, führt zu einer Verstärkung der Elektron-Phonon-Kopplung um etwa eine Größenordnung.

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