Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
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TT: Tiefe Temperaturen
TT 4: Eigenschaften mesoskopischer Systeme
TT 4.2: Vortrag
Montag, 22. März 1999, 15:30–15:45, F1
Altshuler-Aronov Korrektur zur Leitfähigkeit im externen elektromagnetischen Feld — •P. Schwab — Dip. di Fisica, Università di Roma “La Sapienza”
In Metallen verursachen quantenmechanische Interferenzen Korrekturen zur Leitfähigkeit, welche unter den Namen schwache Lokalisierung und Altshuler-Aronov Korrektur bekannt sind. In Experimenten wird oft eine Sättigung der schwachen Lokalisierung bei tiefen Temperaturen beobachtet, was zu Spekulationen über die Existenz intrinsischer Phasen brechender Prozesse bei T=0 geführt hat [1]. Es wurde jedoch darauf hingewiesen [2], daß auch ein hochfrequentes elektromagnetisches Rauschen zur beobachteten Sättigung der schwachen Lokalisierung führen kann. Wir berechnen die Altshuler-Aronov Korrektur im externen Feld. Wir finden, daß auch diese durch externes Rauschen unterdrückt wird. Die effektive Phasenkohärenzzeit ist für schwache Lokalisierung und für die Altshuler-Aronov Korrektur etwa gleich, was bei tiefen Temperaturen kB T< ℏ /τφ zur Sättigung des Widerstands führt.
[1] P. Mohanty, E.M.Q. Jariwala, and R.A. Webb, Phys. Rev. Lett 78, 3366 (1997)
[2] B.L. Altshuler, M.E. Gershenson, and I.L. Aleiner, cond-mat/9803125