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K: Kurzzeitphysik

K I: HV I

K I.1: Invited Talk

Tuesday, April 4, 2000, 11:00–11:40, HS XIV

Pinchplasmen als Strahlungsquellen für die extrem ultraviolett Lithographie — •Klaus Bergmann¹, Oliver Rosier², Rainer Lebert² und Willi Neff¹ — ¹Fraunhofer Institut für Lasertechnik — ²Lehrstuhl für Lasertechnik, Steinbachstr. 15, 52074 Aachen

Die extrem ultraviolett Lithographie (EUVL) gilt als aussichtsreichster Kandidat für die Produktion von Halbleiterbauelementen der nächsten Generation mit Strukturgrößen auf der 10 Nanometerskala. Als mögliche Strahlungsquellen stoßen Pinchplasmen neben den bisher diskutierten laserproduzierten Plasmen und Synchrotronstrahlungsquellen zunehmend auf Interesse. In der Literatur werden verschiedene Konzepte zur Erzeugung von Pinchplasmen wie z.B. der Plasmafokus, der Z-Pinch oder die Kapillarentladung hinsichtlich ihrer Eignung für die EUVL diskutiert. Die Erfüllung aller Anforderungen hinsichtlich z.B. der mittleren Strahlungsleistung führt zu neuen technologischen und grundlegenden Fragestellungen. Die Problematik wird ausführlich am Beispiel eines neuen Konzeptes beschrieben, bei dem durch die spezielle Wahl der Elektrodengeometrie ein verschleißarmer Betrieb bei hohen Strahlungsleistungen aussichtsreich erscheint. Entladungen von einigen Joule kapazitiv gespeicherte Energie in Xenon führen zu Pinchplasmen mit einer Emission im für die EUVL interessanten Spektralbereich von 10 - 16 nm. Der erreichte Stand und das Entwicklungspotential werden vorgestellt.