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AKE: Energie

AKE 21: Solartechnik

AKE 21.2: Vortrag

Dienstag, 21. März 2000, 14:30–14:45, TMATH

Großflächig rekristallisierte Si-Schichten für kristalline Si-Dünnschichtsolarzellen — •Sandra Bau, Walter Zimmermann und Jochen Dicker — Fraunhofer ISE, Oltmannstr. 22, 79100 Freiburg

Zur Herstellung kristalliner Si-Dünnschichtsolarzellen wurden SSP- Substrate (Silicon Sheets from Powder) mit einer SiO₂-Zwischenschicht bedeckt. Diese wurde perforiert und mit einer dünnen, feinkristallinen Si-Schicht beschichtet. Durch einen großflächigen Rekristallisationsschritt wurde eine für die Solarzellen notwendige Kornvergrößerung erreicht. Die Löcher im Zwischenoxid dienen bei dieser Struktur sowohl als Keimzentren für die Rekristallisation als auch zur elektrischen Verbindung der aktiven Schicht mit dem leitfähigen SSP-Substrat. Mit der Größe der Lochabstände erhöht sich einerseits der Anteil großer Körner in der rekristallisierten Schicht, andererseits ist damit auch eine Steigerung des Querleitwiderstands verbunden.

Der Einfluß der Perforationsstruktur auf die elektrischen Eigenschaften der Solarzelle wurde sowohl durch eine Simulation als auch experimentell untersucht.