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AKE: Energie
AKE 21: Solartechnik
AKE 21.3: Vortrag
Dienstag, 21. März 2000, 14:45–15:00, TMATH
Verbesserung von Al/SiOx/p-Si MIS Tunnelkontakten für MIS-Inversionsschichtsolarzellen durch aufgedampfte CsCl-Schichten — •C. Peters, R. Meyer, A. Metz und R. Hezel — Institut für Solarenergieforschung Hameln/Emmerthal (ISFH), Am Ohrberg 1, 31860 Emmerthal
Eine Möglichkeit, den Wirkungsgrad von MIS-Inversionsschichtsolarzellen zu verbessern, besteht darin, die Rekombination am MIS-Kontakt und somit die Sättigungsstromdichte J0 zu verringern. In der vorliegenden Arbeit erfolgt dies erstmalig durch Aufdampfen einer dünnen (ca. 5 nm) CsCl-Schicht zwischen Tunneloxid und Al-Kontakt. Ein Vergleich der Dunkelkennlinien von Punktkontaktproben mit und ohne CsCl-Schicht ergibt eine J0 -Abnahme von 5·10−12 A/cm2 auf 2·10−13 A/cm2. In nichttexturierten ”first generation” MIS-IL Solarzellen [1] bewirkt der verbesserte Kontakt einen Anstieg der Leerlaufspannung von 638 mV auf 648 mV.
Ein weiterer Vorteil der CsCl-Schicht ist die Erhöhung der Temperaturstabilität des MIS-Kontaktes. Dies ermöglicht das Beschichten der Zellenvorderseite mit SiNx bei 300oC, was gegenüber den bisher verwendeten bei 250oC abgeschiedenen SiNx-Schichten eine verbesserte Passivierung des Zwischenfingergebietes und somit eine weitere Erhöhung der Leerlaufspannung bedeutet.
[1] A. Metz, R. Meyer, B. Kuhlmann, M. Grauvogel, R. Hezel, Proc. 26th IEEE Photovoltaics Specialists Conference, Anaheim, 1997, p. 31.