Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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AM: Magnetismus

AM 16: Dünne Schichten III: Magnetooptik, Nanostrukturen

AM 16.6: Vortrag

Mittwoch, 29. März 2000, 18:00–18:15, H10

Untersuchungen zur Strukturierung kleiner magnetischer Elemente — •S. Tegen, H. V, J. Schumann, I. Mönch und C. M. Schneider — Institut für Festkörper- und Werkstofforschung Dresden, Postfach 270016, 01171 Dresden

Miniaturisierte magnetische Tunnelelemente (TMR), deren Widerstand sich in Abhängigkeit der Magnetisierungsrichtung der Elektroden ändert, stoßen u. a. wegen ihrer möglichen Anwendung als Speicherzellen (MRAMs) auf großes Interesse und werden im Rahmen der "Magnetoelektronik" intensiv erforscht. Dabei liegt hier der Schwerpunkt auf der Mikro- bzw. Nanostrukturierung dieser Elemente. Erstere ist mit klassischer, optischer Lithographie möglich, mit der Elemente im Mikrometerbereich erzeugt werden können. Nanostrukturen können mit der Elektronenstrahllithographie in Strukturengrößen <(200 nm) präpariert werden. Zur Herstellung der Elemente wird zunächst der komplette Schichtstapel (Ferromagnet/Tunnelbarriere/Ferromagnet) über einer für die untere Anschlußleiterbahn verwendeten Tantalschicht im UHV abgeschieden. Die Kontrolle des Wachstums erfolgt in situ mit einem STM. In einem zweistufigen Ätzprozeß wird die untere Leiterbahn sowie das TMR-Element herauspräpariert, das anschließend in eine isolierende Matrix eingebettet wird. Die Herstellung einer oberen Anschlußleiterbahn in einem weiteren Prozeß schließt die Produktion meßfähiger TMR-Strukturen ab.