Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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AM: Magnetismus
AM 18: Magnetowiderstand II: Oxide und Tunnelmagnetowiderstand
AM 18.7: Vortrag
Donnerstag, 30. März 2000, 11:00–11:15, H10
Einfluss der Oxidationsparameter auf den Tunnelmagnetowiderstand in magnetischen Tunnelelementen — •M. Justus, A. Thomas, J. Schmalhorst, H. Brückl und G. Reiss — Universität Bielefeld, Fakultät für Physik D2, Universitätsstraße 25, 33615 Bielefeld
Ferromagnetische Tunnelelemente (…/Co/Al2O3/Co/…) wurden durch Magnetron Sputtern hergestellt. Die Tunnelbarrieren wurden durch O2-Plasma Oxidation von Al-Schichten realisiert. Die Signalhöhe und das Hystereseverhalten des Tunnelmagnetowiderstandes wurden in Abhängigkeit von den Oxidationsparametern (Zeit, O2-Partialdruck, …) und der Al-Schichtdicke bestimmt. Eine optimierte Oxidationstiefe liefert die höchsten Signaländerungen. Anpassungsrechnungen mit einfachen Tunnelmodellen liefern quantitative Werte für charakteristische Parameter, wie Barrierenhöhe und -asymmetrie. Die Aussagekraft dieser Parameter hinsichtlich einer Qualitätsbewertung der Barriere wird diskutiert.