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Regensburg 2000 – scientific programme

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DS: Dünne Schichten

Mon, 09:30–10:15 H31 DS 1: Harte Schichten I (c-BN)
Mon, 10:15–10:45 H31 DS 2: Harte Schichten II (c-BN)
Mon, 11:00–12:15 H31 DS 3: Harte Schichten III (c-BN)
Mon, 14:00–14:45 H31 DS 4: Laserverfahren I
Mon, 14:45–15:15 H31 DS 5: Laserverfahren II
Mon, 15:30–16:15 H31 DS 6: Laserverfahren III
Mon, 16:30–17:15 H31 DS 7: Magnetische Schichten I
Mon, 17:15–18:00 H31 DS 8: Magnetische Schichten II
Mon, 09:30–10:45 H32 DS 9: In-situ-Charakterisierung I
Mon, 11:00–12:15 H32 DS 10: In-situ-Charakterisierung II
Tue, 09:30–10:45 H31 DS 11: In-situ-Charakterisierung III
Tue, 10:45–11:30 H31 DS 12: Sonstiges I
Tue, 15:00–16:00 H31 DS 13: Nanostrukturen
Tue, 16:15–17:00 H31 DS 14: Schichtcharakterisierung I
Tue, 09:30–10:15 H32 DS 15: Plasma- und Ionentechniken I
Tue, 10:30–11:15 H32 DS 16: Plasma- und Ionentechniken II
Tue, 11:15–11:30 H32 DS 17: Plasma- und Ionentechniken III
Tue, 15:00–15:45 H32 DS 18: Plasma- und Ionentechniken IV
Tue, 15:45–16:15 H32 DS 19: Plasma- und Ionentechniken V
Tue, 16:30–17:30 H32 DS 20: Plasma- und Ionentechniken VI
Wed, 14:00–14:45 H31 DS 21: Organische Schichten I
Wed, 14:45–15:15 H31 DS 22: Organische Schichten II
Wed, 15:30–16:45 H31 DS 23: Organische Schichten III
Wed, 17:00–18:00 H31 DS 24: Sonstiges II
Wed, 14:00–15:45 H32 DS 25: Metallische Schichten
Wed, 16:00–16:45 H32 DS 26: Optische Schichten I
Wed, 17:00–18:15 H32 DS 27: Optische Schichten II
Thu, 09:30–10:15 H31 DS 28: Ionenimplantation I
Thu, 10:15–10:45 H31 DS 29: Ionenimplantation II
Thu, 11:00–12:00 H31 DS 30: Ionenimplantation III
Thu, 14:00–15:30 H31 DS 31: Ionenimplantation IV
Thu, 15:45–17:30 H31 DS 32: Ionenimplantation V
Thu, 09:30–11:00 H32 DS 33: Schichtcharakterisierung II
Thu, 11:15–12:00 H32 DS 34: Mechanische Eigenschaften
Thu, 14:00–15:30 H32 DS 35: Harte Schichten IV
Thu, 15:45–17:00 H32 DS 36: Harte Schichten V
Thu, 17:15–18:00 H32 DS 37: Elektrische Eigenschaften
Tue, 09:30–17:30 Poster B DS 38: Postersitzung
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