Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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DY: Dynamik und Statistische Physik

DY 42: Wachstum und Grenzfl
ächen

DY 42.1: Vortrag

Donnerstag, 30. März 2000, 11:00–11:15, H2

Wachstum gasgefüllter Risse in Kristallen unter Berücksichtigung des Übergangs zu inkohärenter Struktur — •M. Hartmann und H. Trinkaus — Institut für Festkörperforschung, Forschungszentrum Jülich, 52425 Jülich

Durch Implantation von Gas bei Raumtemperatur bilden sich innerhalb von Keramiken wie SiC wegen des unterdrückten Matrixatomtransports gasgefüllte Risse auf Nanometer-Skala. Die überraschenderweise beobachtete Beschränkung der Rißgrößen konnte durch die Ausbildung von Versetzungsdipolen bei einer kritischen Rißgröße erklärt werden. Die dadurch entstehende Unterbrechung des Wachstums wird beim Aufheizen der Keramik durch das Einsetzen von Matrixtransport entlang der ausgebildeten Versetzungsringe wieder aufgehoben. Die gekoppelte Ostwaldreifung der dabei entstehenden Strukturen aus Versetzungsringen mit auf ihnen liegenden Gasblasen, insbesondere ihr Skalenverhalten, wurden studiert.