Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

DY: Dynamik und Statistische Physik

DY 46: POSTER II

DY 46.5: Poster

Donnerstag, 30. März 2000, 15:00–18:00, D

Selbstorganisierte Stromfilamente in n-GaAs-Filmen — •J. Murawski¹, G. Schwarz¹, E. Schöll¹, J. Hirschinger², V. Novák³ und W. Prettl² — ¹Institut für Theoretische Physik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstraße 36, 10623 Berlin — ²Institut für Experimentelle und Angewandte Physik, Universitätsstraße 31, 93053 Regensburg — ³Institute of Physics AS CR, Cukrovarnická 10, 162 00 Praha

In n-dotiertem GaAs bei tiefen Temperaturen kommt es oberhalb einer kritischen Feldstärke zur stoßionisationsinduzierten Anregung von Elektronen aus Störstellen ins Leitungsband. Dieser autokatalytische Prozeß bewirkt eine S-förmige Strom-Spannungs-Kennlinie. Wir untersuchen an Hand eines mikroskopischen Modells für den Tieftemperatur-Stoßionisationsdurchbruch auf räumlich zweidimensionalen Grundgebieten das Auftreten von selbstorganisierten Stromfilamenten und die Dynamik der Stoßionisationsfronten, die mit ihrer Bildung einhergehen, für unterschiedliche Proben- und Kontaktgeometrien sowie den Einfluß von Parametern wie eines externen Magnetfelds und der globalen Kopplung auf Grund der externen Beschaltung. Die Ergebnisse der dynamischen Simulationen zeigen eine gute Übereinstimmung mit denjenigen eines einfacheren stationären Modells sowie mit ortsaufgelösten Messungen der Filamentbildung an dünnen n-GaAs-Filmen.