Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 12: Poster I: Quanten Hall Effekt (1-9), II-VI Halbleiter (10-17), Epitaxie (18-23), Quantenpunkte und -dr
ähte (24-50), Photonik (51-59), Metall-Isolator Übergang (60-64), Si/Ge (65-67), Elektronentheorie (68-69), Amorphe Halbleiter, Ionen-Implantation
HL 12.16: Poster
Montag, 27. März 2000, 14:00–19:00, A
Die Temperaturabhängigkeit der optischen Phononen in BeTe — •J. Liang, V. Wagner, S. Gundel, J. Wagner, H.J. Lugauer, A. Waag und J. Geurts — Physikalisches Institut der Uni-Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg
Generell zeigen die Frequenz und die Lebensdauer von Gitterschwingungen in Festkörpern ein temperaturabhängiges Verhalten. Dieses rührt sowohl von der thermischen Ausdehnung als auch von der Phonon-Phonon-Wechselwirkung her. Die Lebensdauer der optischen Phononen wird maßgeblich vom Zerfall in akustische Phononen bestimmt. BeTe nimmt eine besonders interessante Stellung ein, weil aufgrund seines außergewöhnlichen Massenverhältnisses (mBe= 9 amu, mTe=127.6 amu) der direkte Zerfall eines optischen Phonons in zwei akustische nicht möglich sein sollte. Deshalb haben wir für BeTe mittels Raman-Spektroskopie die Temperaturabhängigkeit der Frequenzen und Halbwertsbreiten der longitudinal- und transversal-optischen Phononen (LO, TO) im Bereich von 2 K bis 600 K untersucht. Die LO-Frequenz bewegt sich von 505 cm−1 bis 488 cm−1, die TO-Frequenz von 464 cm−1 bis 446 cm−1. Die Halbwertsbreiten liegen zwischen 0.6 cm−1 und 9.6 cm−1. Die Anpassung der experimentellen Ergebnisse, u.a. im erweiterten Klemensmodell, bestätigt, daß für den Zerfall optischer Phononen in BeTe tatsächlich die Beteiligung von mehr als zwei akustischen Phononen erforderlich ist.