Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 12: Poster I: Quanten Hall Effekt (1-9), II-VI Halbleiter (10-17), Epitaxie (18-23), Quantenpunkte und -dr
ähte (24-50), Photonik (51-59), Metall-Isolator Übergang (60-64), Si/Ge (65-67), Elektronentheorie (68-69), Amorphe Halbleiter, Ionen-Implantation
HL 12.62: Poster
Montag, 27. März 2000, 14:00–19:00, A
Messung der Overhauserverschiebung an mit Phosphor dotiertem Silizium — •U. Fasol und E. Dormann — Physikalisches Institut und SFB 195, Universität Karlsruhe (TH), D-76128 Karlsruhe
Durch teilweise Sättigung der Elektronenspinresonanz von Leitungselektronen oder stark austauschgekoppelten Elektronen können bei vorhandener Hyperfeinwechselwirkung die Kernspins aufpolarisiert werden. Die bei diesem sogenannten Overhausereffekt verstärkte Kernspinpolarisation führt über den säkularen Anteil der Hyperfeinwechselwirkung zu einer Verschiebung der Elektronenspinresonanzlinie. Mit einer speziellen Meßmethode der Elektronspin-Kernspin-Doppelresonanz wurde die Overhauserverschiebung an Si-Proben mit verschiedenen Phosphorkonzentrationen im Bereich des Metall-Isolator-Überganges (Nc=3.52· 1018/cm3) gemessen. Bei dieser Methode können die Kernspins der Phosphor- und Siliziumatome aufgrund der unterschiedlichen Kernspinresonanzfrequenzen getrennt angesprochen werden. Man erhält so ein Maß für die Änderung der Hyperfeinwechselwirkung und der zugehörigen Zeitskalen im Bereich des Metall-Isolator-Überganges.