Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 12: Poster I: Quanten Hall Effekt (1-9), II-VI Halbleiter (10-17), Epitaxie (18-23), Quantenpunkte und -dr
ähte (24-50), Photonik (51-59), Metall-Isolator Übergang (60-64), Si/Ge (65-67), Elektronentheorie (68-69), Amorphe Halbleiter, Ionen-Implantation
HL 12.71: Poster
Montag, 27. März 2000, 14:00–19:00, A
Phasenseparation und Indium Nanofäden in InGaN/GaN Strukturen — •Alois Krost1, J. Bläsing1, B. Neubauer2, D. Gerthsen2, H. Protzmann3, M. Lünenbürger3 und M. Heuken3 — 1Institut f. Experimentelle Physik,Otto-von-Guericke Uni. Magdeburg, PF 4120, 39016 Magdeburg — 2Laboratorium f. Elektronenmikroskopie, Uni.Karlsruhe, Engesserstr. 7, 76131 Karlsruhe — 3Aixtron AG, Kackertstr. 15-17, 52072 Aachen
300 nm dicke InGaN Einzelschichten und 10fache (InGaN/GaN) Multiquantenwell Strukturen wurden mittels LP-MOCVD auf GaN/Saphir abgeschieden. In den Einzelschichten sowie in (teil)relaxierten MWQ Schichten werden mittels Röntgenbeugung außer den InGaN- and GaN- Braggreflexen Signale gefunden, welche von reinem, metallischem Indium stammen. Das tetragonale Indium ist mit seiner pseudo-hexagonalen (101) Ebene parallel zur InGaN(0001) Ebene in einer sechsfachen Konfiguration angeordnet. In einer dicken Einzelschicht werden mittels der Halbwertsbreiten und Intensitäten der asymmetrischen In(211) und der symmetrischen In(h0h) Braggreflexe die lateralen and senkrechten Kristallitgrößen zu 30 bzw. 300 nm abgeschätzt, d.h. das Indium ist in einer fadenförmigen Struktur in Wachstumsrichtung eingebaut. Mittels EDX (REM) wird Indium in hexagonalen Defekten solcher Strukturen gefunden. In einer teilrelaxierten MQW Struktur werden nahezu pseudomorphes InGaN, relaxiertes InGaN und metallisches Indium nachgewiesen. Diese Beobachtungen werden mit hochauflösenden TEM-Untersuchungen unterlegt.