Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 12: Poster I: Quanten Hall Effekt (1-9), II-VI Halbleiter (10-17), Epitaxie (18-23), Quantenpunkte und -dr
ähte (24-50), Photonik (51-59), Metall-Isolator Übergang (60-64), Si/Ge (65-67), Elektronentheorie (68-69), Amorphe Halbleiter, Ionen-Implantation
HL 12.9: Poster
Montag, 27. März 2000, 14:00–19:00, A
Phononenabsorption im Quanten-Hall-Effekt — •M. Monka1, U. Zeitler1, F. Hohls1, R.J. Haug1 und K. Eberl2 — 1Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover, Appelstraße 2, D-30167 Hannover — 2MPI für Festkörperforschung, Heisenberstraße 1, D-70569 Stuttgart
Wir untersuchen die Temperaturänderung eines zweidimensionalen Elektronensystems (2DES) im fraktionalen Quanten-Hall-Bereich aufgrund der Wechselwirkung mit ballistischen Phononenpulsen. Insbesondere beim fraktionalen Füllfaktor ν =2/3 erhalten wir eine starke Erwärmung des 2DES durch Phononenabsorption, was auf eine effiziente Kopplung der Phononen an die Magneto-Roton-Anregungslücke des 2DES zurückgeführt werden kann. Bei ν = 3/5 ist diese Änderung der 2DES-Temperatur aufgrund der Wechselwirkung mit Phononen trotz der geringeren Anregungslücke deutlich kleiner als bei ν=2/3. Dies führen wir auf eine reduzierte Phononen-Kopplung an die Anregungslücken bei 3/5 zurück. Die Relaxation des erwärmten 2DES zurück zur Substrattemperatur ist bei ν=2/3 wesentlich langsamer als beim Fülfaktor ν=1/2. Die Energierelaxation bei ν=2/3 wird im Wesentlichen durch Emission von Phononen mit der Energie der Anregungslücke dominiert und ist somit in etwa temperaturunabhägig. Bei ν=1/2 ist dagegen Phononenmemission bei allen Energien erlaubt, das Emissionsspektum lässt sich durch eine Planck-Verteilung beschreiben. Dies führt zu einer starken Erhöhung der Relaxationsrate bei höheren 2DES Temperaturen.