Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 15: Photovoltaik I
HL 15.3: Vortrag
Dienstag, 28. März 2000, 10:00–10:15, H14
Einfluß von Grenzflächeneigenschaften auf den a-Si:H(n+)/c-Si(p) Heterokontakt — •K. Brendel1, A. Froitzheim1, K. Kliefoth1, M. Schmidt1, W. Fuhs1 und G.H. Bauer2 — 1HMI-Berlin, Abt. Photovoltaik, Kekulestr. 5, D-12489 Berlin — 2FB Physik, C.v.O. Universität Oldenburg
Wir untersuchten den Einfluß der Substratvorbehandlung auf die
Grenzflächeneigenschaften des a-Si(n+)/c-Si(p) Heteroübergangs. Dazu
wurden die Si-Wafer unterschiedlich vorbehandelt:
(1) HF-Dip, (2) H-Terminierung, (3) naßchemisches Tunneloxid.
Auf die Substrate wurden 40nm dicke a-Si:H(n+) Emitterschichten abgeschieden
(PECVD). Neben Messungen der Photospannung, der I-U Kennlinien
(100K-400K), der Quantenausbeute und der Kapazität wurde
eine Kontaktstrommessung zur Charakterisierung der
Grenzflächenrekombination S benutzt.
Die Vorbehandlungen spiegeln sich in deutlichen Abweichungen von
S wider. Dieses Ergebnis korreliert mit den anderen untersuchten elekrischen
Eigenschaften. I-U-Messungen deuten auf eine Barriere für den
Minoritätentransport aus dem Absorber hin. Die besten Solarzellen
ergeben sich mit Vorbehandlung (2) (η=11,8%).