Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 16: Störstellen/Grenz- und Oberfl
ächen I
HL 16.14: Vortrag
Dienstag, 28. März 2000, 12:45–13:00, H17
Magnetotransportuntersuchungen an lateral modulierten zweidimensionalen Löchergasen in (113)-SiGe/Si Heterostrukturen — •Robert Neumann, Karl Brunner und Gerhard Abstreiter — Walter Schottky Institut, TU München, Am Coulombwall, 85748 Garching
Si-Substrate, die relativ zur hochsymmetrischen (001)-Fläche verkippt sind, sind sowohl aus physikalischer wie auch aus technologischer Sicht von großem Interesse, da sie z. B. die Möglichkeit bieten, durch Ausnutzung von Selbstorganisationseffekten Nanostrukturen herzustellen.
Multischichten, bestehend aus 19 Perioden von 2.5 nm Si0.65Ge0.35 / 10 nm Si, wurden mittels Molekularstrahlepitaxie auf (113)-Si gewachsen. Durch „Step-Bunching“ entstehen hierdurch an der Oberfläche ausgeprägte Stufen von großer Regelmäßigkeit und Homogenität, wie Rasterkraftmikroskopmessungen zeigen. Es werden Magnetotransportmessungen an modulationsdotierten zweidimensionalen Löchergasen in (113)-Si1−xGex-Quantumwells auf derartigen Multischichten vorgestellt. Wir finden eine starke Anisotropie der Löcherbeweglichkeit, die am ausgeprägtesten zwischen der [332]- und der [110]-Richtung ist. Ursachen dieser Anisotropie werden im Kontext der Oberflächenstufen und der effektiven Massen auf (113)-Si-Flächen diskutiert.