Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 16: Störstellen/Grenz- und Oberfl
ächen I
HL 16.7: Vortrag
Dienstag, 28. März 2000, 11:00–11:15, H17
Temperaturabhängigkeit der Niederinjektionslebensdauer von schwermetalldotiertem n-Silizium — •A. Frohnmeyer1,2, F.-J. Niedernostheide1, H.-J. Schulze1, P. Tütto3, T. Pavelka3 und G. Wachutka2 — 1Siemens AG, ZT MS 4, D-81370 München — 2Lehrstuhl für Technische Elektrophysik, TU München, Arcisstr. 21, D-80290 München — 3Semiconductor Physics Laboratory RT, H-1327 Budapest, Hungary
Der Betriebsbereich von Hochleistungshalbleiterbauelementen überstreicht einen weiten Bereich von Ladungsträgerdichten vom Sperrzustand bis in den Stroßstrombetrieb. Mit Anwendungen in supraleitenden Energiespeichern (-200 ∘C), einer üblichen Betriebstemperatur von ca. 100 ∘C bis zu Maximaltemperaturen von 180 ∘C wird zudem ein weiter Temperaturbereich für die Anwendung interessant.
Mit Hilfe des mikrowellendetektierten Photoleitungszerfalls (µPCD) wurde die Injektions- und Temperaturabhängigkeit der Trägerlebensdauer in schwermetalldotiertem (Platin, Gold, Eisen) n-Silizium untersucht. Während die Lebensdauer bei Gold- und Platindotierung mit der Temperatur um etwa einen Faktor fünf ansteigt, nimmt sie bei Eisen ab. Aus einem Vergleich mit den aus den Zentrenparametern mit Hilfe der Shockley-Read-Hall-Theorie abgeleiteten Abhängigkeiten wurden Aussagen über die Beiträge der verschiedenen Rekombinationszentren zur gesamten Ladungsträgerlebensdauer in den verschiedenen Arbeitsbereichen abgeleitet.