Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 16: Störstellen/Grenz- und Oberfl
ächen I
HL 16.8: Vortrag
Dienstag, 28. März 2000, 11:15–11:30, H17
Bor in Silizium-Germanium-Mischkristallen - beobachtet mit β-NMR — •J. Hattendorf1, W.-D. Zeitz1, B. Selle1, W. Schröder2 und N. V. Abrosimov2 — 1Hahn-Meitner-Institut Berlin, Glienicker Strasse 100, 14109 Berlin — 2Institut für Kristallzüchtung, Max-Born-Strasse 2, 12489 Berlin
Zur Untersuchung des Einbau- und Ausheilverhaltens von Bor in Si-Ge-Kristallen wurden β-NMR-Messungen an p-leitenden Proben mit 1,5 % und 2,5 % Ge-Anteil durchgeführt. Wir entdeckten verschiedene Bor-Defekt-Konfigurationen und untersuchten ihr Ausheilverhalten durch Messung von Frequenz und Amplitude der korrelierten NMR-Resonanzen in Abhängigkeit von der Temperatur.
Interstitielles Bor bildet im Silizium ein negativ U-System. Die korrelierte Quadrupolfrequenz ist aus Messungen an p-leitendem Silizium bekannt [1]. Die Resonanzen weisen in der Probe mit 2,5 % Ge-Gehalt eine wesentlich geringere Intensität als in der 1,5 % Probe auf. Unsere Beobachtungen führen zu dem Schluß, daß die Bildung des negativ U-Sytems durch die Beimischung von Germanium erschwert wird.
Hochaufgelöste Messungen erbrachten Hinweise auf zwei weitere Bor-Defekt-Konfigurationen in den Si-Ge-Kristallen. Diese Komplexe bleiben auch bei hohen Temperaturen stabil. Die Vermutung liegt nahe, daß es sich um Borionen handelt, die in der Nachbarschaft von Germaniumatomen substitutionell eingebaut wurden.
[1] B. Fischer, W. Seelinger, E. Diehl, K.-H. Ergezinger, H.-P. Frank, B. Ittermann, F. Mai, G. Welker, H. Ackermann und H.J. Stöckmann: Mat. Sci. Forum 83-87 (1992) 269