Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 17: Symposium: Der Quanten-Hall-Effekt wird 20 (II)
HL 17.9: Vortrag
Dienstag, 28. März 2000, 18:45–19:00, H15
Experimentelle Untersuchung des Quanten-Hall-Effekts zwei-dimensionaler Elektronensysteme in epitaktisch abgelösten Halbleiter-Heterostrukturen mit zylinderförmiger Topologie — •Stefan Böhm1, Thomas Klühspies1, Axel Lorke1, J. P. Kotthaus1 und Henning Riechert2 — 1Sektion Physik und CeNS, LMU-München, Geschwister-Scholl-Platz 1, 80539 München — 2Infineon Technologies, 81730 München
Die Technik des epitaktischen Lift-offs ermöglicht es,
GaAs/AlGas-Heterostrukturen mit hochbeweglichen Elektronengasen
von ihrem GaAs-Substrat abzulösen. Die abgelösten Schichtstrukturen haben eine Dicke von typischerweise 200-500 nm und können mit Radien von einigen 100µm auf einen zylinderförmigen Glas-Träger transferiert werden. Die Heterostrukturen können mit geeignet angepaßten optischen Lithographieverfahren in die Form eines Hallbars gebracht werden. Es bestehen prinzipiell zwei Möglichkeiten der Anordnung der Source-Drain-Strecke des Hallbars: (i) parallel zur Zylinderachse und (ii) senkrecht zur Zylinderachse entlang der gekrümmten Oberfläche.
Durch die Krümmung der Zylinderachse wirkt auf das Elektronengas ein örtlich variierendes effektives Magnetfeld ein, welches eine örtliche Fluktuation der Breite der Landau-Niveaus hieraus zur Folge hat. Die damit hervorgerufene örtlich veränderliche Ladungsträgerdichte in den Landau-Niveaus ist ein Diskussionsansatz zur Erklärung der Quanteneffekte in den SdH-Oszillationen in den von uns vorgestellten Magnetotransportmessungen.