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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Transporteigenschaften

HL 24.3: Talk

Wednesday, March 29, 2000, 16:30–16:45, H14

Thermoelektrische Eigenschaften von niederdimensionalen IV-VI-Strukturen — •Harald Beyer, Joachim Nurnus, Harald Böttner und Armin Lambrecht — Fraunhofer Institut Physikalische Messtechnik (IPM), Heidenhofstr. 8, D-79110 Freiburg i. Br.

Eine Erhöhung der 2D thermoelektrischen Güteziffer ZT=σ S²T/κ (σ: elektrische Leitfähigkeit, S: Thermokraft, κ: thermische Leitfähigkeit, T: Temperatur) kann in 2D IV-VI-Strukturen beobachtet werden. Neueste Veröffentlichungen berichten sogar von einer Erhöhung der 3D Güteziffer in PbTe/PbSe Quantum Dot-Systemen [1].

Wir präsentieren zunächst die strukturellen und thermoelektrischen Eigenschaften von PbTe/PbSrTe MQW-Strukturen, die mittels MBE auf BaF₂(111) hergestellt wurden. Energieniveaus und Bandlücke des Barrierenmaterials wurden mittels IR-Transmission bestimmt. Die Ergebnisse werden mit Berechnungen nach einem Kronig-Penney-Modell für Übergitter verglichen. Die thermoelektrischen Eigenschaften dieser Strukturen werden bezüglich der Schichtparameter und Dotierprofile bestimmt. In diesem Zusammenhang wird der Einfluß der Auswertemethode auf die Bestimmung des 2D Power-Faktors σ S² diskutiert. Darüberhinaus wurden erste Experimente an niederdimensionalen PbSe/PbTe- und PbSe/PbSrTe-Materialsystemen durchgeführt.

[1] T.C. Harman et al., 18^th International Conference on Thermoelectrics, Baltimore, MD, 1999

[2] Diese Arbeit wurde vom BMBF gefördert (FKZ 03N2014A).