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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Transporteigenschaften

HL 24.7: Vortrag

Mittwoch, 29. März 2000, 17:30–17:45, H14

Präparation ohmscher Kontakte auf InAs/AlGaSb 2DEG’s — •G. Müller¹, M. Bibus², G. Schmidt¹, L. W. Molenkamp¹, J. De Boeck³ und G. Borghs³ — ¹Physikalisches Institut, Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg — ²2. Physikalisches Institut der RWTH Aachen, Templergraben 55, D-52056 Aachen — ³IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium

Obwohl laut Literaturangaben die Herstellung ohmscher Metallkontakte auf InAs wegen eines an der Oberfläche ausgebildeten 2-DEGs einfach sein soll [1], wird von vielen Seiten von schwerwiegenden Problemen berichtet. Im Rahmen von Spininjektionsexperimenten wurden verschiedene Präparationsverfahren für Co- bzw. Cr/Au-Kontakte auf InAs untersucht. Zur quantitativen Ermittlung des Kontaktwiderstandes wurden, basierend auf einer AlGaSb-InAs-AlGaSb-Heterostruktur, mehrere Transmission-Line-Measurement(TLM)-Proben hergestellt. Es wurden verschiedene naßchemische Ätztechniken zum Freilegen des InAs-Kanals benutzt. Das InAs wurde vor der Metallisierung mit verschiedenen Ätzen bzw. mittels Ar-Glimmentladung vorbehandelt. Die U/I-Kennlinien der Kontakte wurden bei 4.2K ermittelt und im Falle eines linearen Verlaufes der Kontaktwiderstand abgeschätzt. Der niedrigste Kontaktwiderstand wurde mittels Passivierung in einer (NH₄)₂S Lösung erzielt. Im Vortrag werden die Ergebnisse der verschiedenen Experimente beschrieben und diskutiert.

[1] P. H. C. Magnee et. al., Appl. Phys. Lett. 67, 3569 (1995)