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Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 26: Bauelemente

HL 26.7: Talk

Wednesday, March 29, 2000, 17:30–17:45, H13

Pt/SrBi2Ta2O9/CeO2/Si(100): Eine Materialkombination für die Realisierung ferroelektrischer Feldeffekttransistoren — •T. Haneder1,2, W. Hönlein2, H. von Philipsborn1 und R. Waser31Universität Regensburg, FB Physik, 93040 Regensburg — 2Infineon Technologies, Corporate Research, 81730 München — 3RWTH Aachen, Institut für Werkstoffe der Elektrotechnik, 52074 Aachen

Ferroelektrische Feldeffekttransistoren, wie z.B. der MFISFET (Metal Ferroelectric Insulator Semiconductor FET), könnten sich in Zukunft als wesentlicher Bestandteil der Mikroelektronik erweisen. Durch eine in das Gate integrierte ferroelektrische Schicht läßt sich der Transistor statisch aus- bzw. einschalten. Ein solcher Transistor erlaubt den Bau kleinster Speicherzellen mit zahlreichen Vorteilen gegenüber herkömmlichen mikroelektronischen Speichern und kann zur Realisierung neuronaler Netze eingesetzt werden.

Um die Eignung des Schichtsystems Pt/SrBi2Ta2O9/CeO2/Si(100) für den Bau solcher Transistoren zu untersuchen, wurden mit Hilfe von CSD-Verfahren (Chemical Solution Deposition) entsprechende Kondensatoren hergestellt und elektrisch charakterisiert. Zur weitergehenden Untersuchung wurden XRD und TEM eingesetzt. Eine Verschiebung der C(U)-Kennlinie dieser MFIS-Diode beim Hin- und Rücklauf zeigt die ferroelektrischen Eigenschaften von SrBi2Ta2O9. Optimierte Kondensatoren besitzen bereits Charakteristika, wie sie für den Bau funktionierender ferroelektrischer Transistoren erforderlich sind.

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