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          16:00 | 
          HL 26.1 | 
          
            
            
              
                Neuartiger Schaltvorgang in verzweigten GaAs/AlGaAs Elektronenwellenleitern — •Lukas Worschech, Bernd Weidner und Alfred Forchel
              
            
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          16:15 | 
          HL 26.2 | 
          
            
            
              
                Raum-zeitliche Ladungsträgerdynamik in photoleitenden Schaltern — •Mark Bieler, Günter Hein, Klaus Pierz, Uwe Siegner und Martin Koch
              
            
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          16:30 | 
          HL 26.3 | 
          
            
            
              
                UV Mikro-Ramanspektroskopie zur Messung mechanischer Verspannungen in Siliziumbauelementstrukturen — •K. Pressel, K. F. Dombrowski, B. Dietrich, I. de Wolf und R. Rooyackers
              
            
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          16:45 | 
          HL 26.4 | 
          
            
            
              
                Optische Transistoren aus photoleitenden Schaltern und NRC-Leuchtdioden — •D. Zipperer, R. Windisch, M. Welker, P. Kiesel, B. Dutta, P. Heremans und G.H. Döhler
              
            
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          17:00 | 
          HL 26.5 | 
          
            
            
              
                Monolitisch integrierte Smart Pixels mit einer N-i-p-i-Struktur als Modulator — •A. Ullmann, W. Fix, M. Welker, W. Geißelbrecht, P. Velling, W. Prost, F.-J. Tegude und G.H. Döhler
              
            
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          17:15 | 
          HL 26.6 | 
          
            
            
              
                Charakterisierung des temperaturabhängigen Verhaltens von Dünnschichtsensoren zur Farberkennung — •Dietmar Knipp, Helmut Stiebig und Mathias Krause
              
            
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          17:30 | 
          HL 26.7 | 
          
            
            
              
                Pt/SrBi2Ta2O9/CeO2/Si(100): Eine Materialkombination für die Realisierung ferroelektrischer Feldeffekttransistoren — •T. Haneder, W. Hönlein, H. von Philipsborn und R. Waser
              
            
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          17:45 | 
          HL 26.8 | 
          
            
            
              
                Skalierbarer Hochvolttransistor für EEPROMs — •E. Landgraf, F. Hofmann und H. von Philipsborn
              
            
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          18:00 | 
          HL 26.9 | 
          
            
            
              
                Lokalisierung von Gateoxiddefekten an großflächigen MOS Kondensatoren auf Silicium mit Hilfe hochauflösender Lock-in Thermographie — •Steffen Huth, Ottwin Breitenstein, Andreas Huber und Ulrich Lambert
              
            
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          18:15 | 
          HL 26.10 | 
          
            
            
              
                Ein vertikaler, resonanter Tunneltransistor im System GaAs/AlAs für den Einsatz in digitalen Logikschaltkreisen — •J. Stock, J. Malindretos, M. Indlekofer, M. Pöttgens, A. Förster und H. Lüth
              
            
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          18:30 | 
          HL 26.11 | 
          
            
            
              
                Charakterisierung der Trägerlebensdauer von Leistungsdioden mittels IR-Laserabsorption — •F. Hille, L. Hoffmann, H.-J. Schulze und G. Wachutka
              
            
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          18:45 | 
          HL 26.12 | 
          
            
            
              
                Kalibrierung von Freien-Ladungsträger-Absorptionsmessungen in Leistungsbauelementen — •C. Mehnert, F. Hille, L. Hoffmann und G. Wachutka
              
            
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          19:00 | 
          HL 26.13 | 
          
            
            
              
                Laterale pn-Diodenarrays als Rückstreu-Elektronendetektoren für Mikrosäulen — •Georg S. Fritz, Freek E. Prins und Dieter P. Kern
              
            
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