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HL: Halbleiterphysik

HL 26: Bauelemente

HL 26.1: Talk

Wednesday, March 29, 2000, 16:00–16:15, H13

Neuartiger Schaltvorgang in verzweigten GaAs/AlGaAs Elektronenwellenleitern — •Lukas Worschech, Bernd Weidner und Alfred Forchel — Lehrstuhl für Technische Physik,Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg

Verzweigte Elektronenwellenleiter, die mit

Hilfe hochauflösender Elektronenstrahllithographie und

naßchemischen Ätzen in GaAs/AlGaAs Heterostrukturen hergestellt

worden sind, zeigen drastische Unterschiede in den Leitwertskurven

des linken und des rechten Zweiges, wenn die dazugehörigen

Potentiale der Elektronenreservoirs um wenige mV voneinander

verschoben werden. Dieser neuartige Schaltmodus wird in

Abhängigkeit der Gatespannung sowohl für ac und dc

Transportuntersuchungen nachgewiesen. Wird das chemische Potential

des Reservoirs, das mit dem Stamm der Y-förmigen Verzweigung

verbunden ist, in Abhängigkeit der Spannungsdifferenz zwischen

den beiden anderen Reservoirs bestimmt, kann eine Verschiebung von

100% mit dem jeweils höheren Potential beobachtet werden. Dieser

Schaltmodus wird durch die Kollimierung von Elektronen aufgrund

der ballistischen Bewegung der Elektronen im Wellenleiter

erklärt.

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