Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

HL: Halbleiterphysik

HL 26: Bauelemente

HL 26.9: Talk

Wednesday, March 29, 2000, 18:00–18:15, H13

Lokalisierung von Gateoxiddefekten an großflächigen MOS Kondensatoren auf Silicium mit Hilfe hochauflösender Lock-in Thermographie — •Steffen Huth¹, Ottwin Breitenstein¹, Andreas Huber² und Ulrich Lambert² — ¹MPI f. Mikrostrukturphysik, Weinberg 2, D-06120 Halle — ²Wacker Siltronic AG, Postfach 1140, D-84479 Burghausen

Die Zuverlässigkeit von Gateoxiden in MOS Kondensatoren wird wesentlich von den Substrateigenschaften des Siliciummaterials beeinflußt. Volumenkristalldefekte wie z.B. COPs (crystal-originated particles) führen zu Frühausfällen von Gateoxiden.

In diesem Beitrag werden Untersuchungen von COP Ausfällen mit hochauflösender Lock-in Thermographie an großflächigen MOS Strukturen z.B. Viertelwafern vorgestellt. Mit dieser Technik können lokale Wärmequellen, verursacht von Leckströmen an Gateoxiddefekten mit einer Leistung von einigen µW, lokalisiert werden. Die Methode erlaubt es, elektrisch durchgebrochene Gateoxide mit einer lateralen Auflösung von 13 µm abzubilden. Messungen an Siliciumsubstraten mit unterschiedlicher COP Dichte wurden durchgeführt. Die Ergebnisse stimmen auf der gesamten Siliciumoberfläche gut mit Strom-Spannungsmessungen an kleinen (typisch 8mm²) MOS Kondensatoren überein.