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HL: Halbleiterphysik

HL 26: Bauelemente

HL 26.10: Talk

Wednesday, March 29, 2000, 18:15–18:30, H13

Ein vertikaler, resonanter Tunneltransistor im System GaAs/AlAs für den Einsatz in digitalen Logikschaltkreisen — •J. Stock, J. Malindretos, M. Indlekofer, M. Pöttgens, A. Förster und H. Lüth — Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH

Eine digitale Logik auf der Basis von resonanten Tunneldioden zeichnet sich gegenüber konventionellen Logikschaltkreisen durch hohe Geschwindigkeit, geringe Leistungsaufnahme und eine reduzierte Komplexität aus. Das Grundelement solcher Logikschaltkreise bildet eine Reihenschaltung zweier Tunneldioden, an die eine oszillierende Taktspannung angelegt wird. Durch Variation des Peakstroms an einer der beiden Tunneldioden ist ein Umschalten zwischen zwei Spannungszuständen am gemeinsamen Knoten möglich, die die beiden logischen Zustände Low und High repräsentieren. Die Veränderung des Peakstroms kann mit Hilfe von Transistoren realisiert werden, die zusätzlich zu den Tunneldioden in die Schaltung integriert werden müssen. Ein alternativer Ansatz ist die direkte Manipulation des Peakstroms über die Raumladungszone eines Schottky-Gates, das die Diode umgibt. Die Herstellung und Charakterisierung eines solchen resonanten Tunneltransistors sind Thema dieses Vortrags.