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HL: Halbleiterphysik

HL 26: Bauelemente

HL 26.3: Talk

Wednesday, March 29, 2000, 16:30–16:45, H13

UV Mikro-Ramanspektroskopie zur Messung mechanischer Verspannungen in Siliziumbauelementstrukturen — •K. Pressel¹, K. F. Dombrowski¹, B. Dietrich¹, I. de Wolf² und R. Rooyackers² — ¹Institut für Halbleiterphysik (IHP), walter-Korsing-Str. 2, 15230 Frankfurt/Oder — ²IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgien

Wir präsentieren Messungen mechanischer Verspannungen in Siliziumbauelementestrukturen mittels UV-Mikro-Ramanspektroskopie. Der Einsatz von UV Licht (364 nm) zur resonanten Anregung von Silizium verringert die Eindringtiefe auf nur 12 nm in Si, verglichen mit mindestens 320 nm für sichtbares Licht (458 nm). Somit k*nnen Verspannungen sehr oberflächennah gemessen werden. Zusammen mit einer Ortsauflösung von 0.6 - 0.7 µm werden Bereiche hoher Verspannung sichtbar, die bei Messungen mit sichtbarem Licht durch die grosse Eindringtiefe weggemittelt werden. Besonders in der Umgebung von Strukturkanten kann so der Einfluss verschiedener Prozessparameter auf die mechanische Verspannung des Si-Substrates sichtbar gemacht werden. Dies wird an einigen Beispielen aus der Prozessierung der Shallow Trench Isolation gezeigt.