Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)

HL 27.11: Poster

Wednesday, March 29, 2000, 14:00–19:00, A

Wechselwirkung und Dephasierung von Exzitonen in ZnSe Quantendrähten — •H.-P. Tranitz¹, R. Schuster¹, H. P. Wagner², G. Bacher³ und A. Forchel³ — ¹Institut für Physik II, Universität Regensburg, 93040 Regensburg — ²Institut für Physik, TU Chemnitz, 09107 Chemnitz — ³Technische Physik,Universität Würzburg, 97074 Würzburg

Mit der Methode der spektral aufgelösten, zeitintegrierten Vier-Wellen-Mischung (FWM) wird die Dephasierung von Exzitonen in ZnSe Quantendrähten mit Drahtbreiten bis zu 25 nm untersucht. Die Quantendrahtstrukturen werden hierzu naßchemisch aus MBE ZnSe/ZnMgSe Einfachquantentrögen, die auf (001) GaAs gewachsen wurden, präpariert. Die Messungen zeigen, daßauch Trionen an der Dephasierung der Quantendrahtexzitonen beitragen, wobei die inkohärenten Elektronen optisch aus dem GaAs-Substrat angeregt werden. Mit abnehmender Drahtbreite wird eine Reduzierung des Trionsignals beobachtet, was auf eine zunehmende Lokalisierung der Elektronen an der Drahtoberfläche zurückgeführt wird. Temperaturabhängige FWM-Studien geben Aufschlußüber die thermische Aktivierung der im Quantendraht eingefangenen Elektronen, die zu einer Abnahme der homogenen Linienbreite der Exzitonen mit einem Minimum bei etwa 40 K führt. Mit wachsender Temperatur steigt die homogene Linienbreite aufgrund der Exziton-LO-Phonon Wechselwirkung wieder an, wobei mit abnehmender Drahtbreite ein geringerer LO-Phonon Wechselwirkungsparameter beobachtet wird.