Regensburg 2000 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)
HL 27.17: Poster
Wednesday, March 29, 2000, 14:00–19:00, A
Grenzflächenmodifizierung von Ag/InP(001) durch Arsen und Schwefel — •R.K. Gebhardt1, S. Sloboshanin2, J.A. Schäfer2 und T. Chassé1,3 — 1Wilhelm-Ostwald-Institut für Physikal. und Theor. Chemie, Universität Leipzig — 2TU Ilmenau — 3Institut für Oberflächenmodifizierung Leipzig
Die Passivierung von InP(001) durch Chalkogene oder Arsen ist
von großem technologischen Interesse für das Wachstum von
Schichten oder Quantendots. Es werden Untersuchungen mit
Photoemission (BESSY I, Al Kα) und LEED vorgestellt,
durch die der Einfluß von Schwefel- und Arsen-Modifizierungen
auf die elektronischen Eigenschaften, die Grenzflächenreaktionen
und auf das Wachstum von ultradünnen Silber-Schichten auf
InP(001) erfaßt und verglichen werden soll. Durch Adsorption
verschiedener S-Moleküle und geeignetes Tempern wurden
(1× 1)S und (2× 1)S-Überstrukturen von InP(001)
erzeugt. Die mittels Sputtern und Ausheilen präparierte saubere
(2× 4) wird mittels Arsenbelegung bei Raumtemperatur zur
(1× 1)As, unter As-Exposition bei ca. 450∘C zur
(4× 2)As. Die chemische Reaktion zwischen sukzessive
aufgedampftem Metall und Substrat wird am stärksten durch eine
Arsen-Zwischenschicht unterdrückt, dagegen beeinflußt die
S-Behandlung die Lage des Fermi-Niveaus an der Grenzfläche. Die
Ergebnisse werden mit der Sn/InP(001)-Grenzfläche verglichen.