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HL: Halbleiterphysik
HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)
HL 27.18: Poster
Wednesday, March 29, 2000, 14:00–19:00, A
Dynamische Eigenschaften lateral komplex-gekoppelter DFB-Laser auf InP-Basis — •S. Harms1, J. Hofmann1, M. Kamp1, A. Forchel1, J.L. Gentner2 und L. Goldstein2 — 1Technische Physik, Am Hubland, D-97074 Würzburg — 2Alcatel Corporate Research Center, Opto+, Groupement d’Interet Economique, Route de Nozay, F-91460 Marcoussis
Lateral gekoppelte DFB Laser stellen eine einfache Alternative zu herkömmlichen DFB Lasern dar. Bei diesem Bauelement koppelt die Mode in einem Ridge-Waveguide an ein Metallgitter, das mittels Eletronenstrahllithographie an beiden Seiten des Wellenleiters definiert wird.
Das Verfahren liefert DFB-Laser mit guten Eigenschaften in Bezug auf Schwellenstrom, Effizienz und Seitenmodenunterdrückung. Die für Anwendungen in der Telekommunikation wichtigen dynamischen Eigenschaften von InGaAsP/InP-basierenden lateral gekoppelten DFB-Lasern bei 1,55 µ m werden vorgestellt. Modulationsbandbreiten von DFB-Lasern wurden mittels RIN- und Kleinsignalmessungen charakterisiert, Laser mit einer Länge von 300 µ m liefern -3dB Frequenzen von über 15 GHz.
Die statische Linienbreite mit Werten von wenigen MHz und der Chirp des Lasers wurden durch ein Selbst-Homodyneverfahren bestimmt. Für den Einsatz in Glasfasernetzen ist das Verhalten des Lasers unter dem Einfluss von rückreflektiertem Licht von Bedeutung. Untersucht wurde hier das Rauschen und die Linienbreite des DFB-Lasers in Abhängigkeit von der rückreflektierten Leistung.