Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)

HL 27.20: Poster

Wednesday, March 29, 2000, 14:00–19:00, A

Untersuchung der biexzitonischen optischen Verstärkung in ZnSe-basierten Einzelquantentrogstrukturen — •R. Heinecke, P. Michler, U. Neukirch und J. Gutowski — Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen, Kufsteiner Straße, 28359 Bremen

II-VI-Halbleiter-Quantentrogstrukturen zeigen bei tiefen Temperaturen optische Verstärkung an der energetischen Position des 1S-Schwerloch-Biexzitons. Unter Annahme eines Gases aus Exzitonen und Biexzitonen wurden quasistationäre Messungen der verstärkten spontanen Emission und der Laseremission erfolgreich modelliert [1]. Die Dynamik der Emission einer ZnSe/Zn(S,Se)/(Zn,Mg)(S,Se) - Laserstruktur zeigt je nach Anregungsdichte eine komplizierte Dynamik, die durch dieses einfache Modell nicht mehr erklärt werden kann.
Zum genaueren Einblick in die Ladungsträgerwechselwirkung werden Emissionsspektren mit höherer spektraler Auflösung vorgestellt. Der große dynamischen Bereich ermöglicht dabei eine starke Variation der Ladungsträgerdichte. Zusätzlich wird ein zeitaufgelöstes Anreg-Abtast-Experiment mit spektral eingeschnürtem Abtastimpuls durchgeführt. Man erhält so spektral- und zeitaufgelöste Information über die optische Verstärkung. Dabei wird die Polarisation von Anregungs- und Abtastimpuls unabhängig voneinander eingestellt, um den Zusammenhang des Signals mit dem Biexziton-Exziton-Übergang im Quantentrog zu untersuchen.

[1] O. Homburg et al., Phys. Rev. B 60, 5743 (1999)