Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)
HL 27.23: Poster
Mittwoch, 29. März 2000, 14:00–19:00, A
Bestimmung der Polaritondispersion von GaN mit Zwei- und Dreiphotonenspektroskopie — •C. Schweitzer1, D. Fröhlich1, K. Reimann2 und T. Suski3 — 1Institut für Physik, Universität Dortmund, 44221 Dortmund — 2Max-Born-Institut für Nichtlineare Optik und Kurzzeitspektroskopie, Max-Born-Straße 2A, 12489 Berlin — 3Unipress, Polish Academy of Sciences, 01-142 Warschau, Polen
Während die Herstellung elektronischer Bauelemente auf GaN-Basis immer größere Fortschritte macht, sind viele elektronische Eigenschaften nicht oder nur unzureichend bekannt. Insbesondere die Dispersionsrelation der Exziton-Polaritonen in GaN konnte bisher nur mit linearer optischer Spektroskopie bestimmt werden. Im Gegensatz zu den klassischen Methoden der linearen Optik wie Reflexion oder Photolumineszenz bieten nichtlineare Methoden aber einige wesentliche Vorteile. So können mit der Zwei- und Dreiphotonenspektroskopie Zustände erreicht werden, die in Ein-Photonen-Experimenten verboten sind, wie zum Beispiel longitudinale Zustände. Für die Bestimmung der Polaritondispersion ist es insbesondere von Bedeutung, daß der Gesamtwellenvektor in gewissen Grenzen unabhängig von der Gesamtenergie der beteiligten Photonen eingestellt werden kann (k→-Raum-Spektroskopie).
Auf diese Weise war es mit verschiedenen kohärenten Techniken (Zwei- und Drei-Photonen-Summenfrequenzerzeugung) der nichtlinearen Spektroskopie möglich, Zustände auf den Polaritonästen auszumessen, woraus die Dispersion der Exziton-Polaritonen bestimmt werden konnte.