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HL: Halbleiterphysik

HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)

HL 27.28: Poster

Mittwoch, 29. März 2000, 14:00–19:00, A

Temperatur- und leistungsabhä ngige Photolumineszenz-Untersuchungen an exzitonischen Ü bergä ngen in homoepitaktischem GaN — •M. Grehl¹, K. Kornitzer¹, K. Thonke¹, R. Sauer¹, C. Kirchner², V. Schwegler², M. Kamp², M. Lescznski³, I. Grezgory³ und S. Porowski³ — ¹Abteilung Halbleiterphysik, Universitä t Ulm, 89069 Ulm — ²Abteilung Optoelektronik, Universitä t Ulm, 89069 Ulm — ³High Pressure Research Center, Polish Academy of Sciences, PL 02 668 Warsaw, Poland

GaN-Schichten, die mittels MOVPE auf vorbehandelten GaN-Einkristallen abgeschieden wurden, sind nahezu perfekt unverspannt und zeigen eine sehr niedrige Defektkonzentration.

Wir untersuchten eine solche Schicht in Photolumineszenzmessungen. Im bandkantennahen Bereich treten neben den Emissionslinien der Exziton-Polaritonen und deren angeregten Zust*nden extrem scharfe Linien von Donator-und Akzeptor-gebundenen Exzitonen auf. Die Feinstruktur und Seitenbanden dieser Linien werden anhand temperaturabhä ngiger Messungen analysiert und mit Reflexionsmessungen verglichen.