Regensburg 2000 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)
HL 27.30: Poster
Wednesday, March 29, 2000, 14:00–19:00, A
Optische Spektroskopie an InGaN Quantenfilmen — •T. Stephan1, M. Schmidt1, H. Kalt1, E. Hahn2, B. Neubauer2, M. Schowalter2, D. Gerthsen2, O. Schön3 und M. Heuken3 — 1Institut für Angewandte Physik, Universität Karlsruhe, 76128 Karlsruhe — 2Laboratorium für Elektronenmikroskopie, Universität Karlsruhe, 76128 Karlsruhe — 3AIXTRON AG, Kackerstr. 15-17, 52072 Aachen
Untersucht wurde eine Serie von InGaN Quantenfilmen, die auf einer 2 µm dicken GaN Pufferschicht auf einem Saphir-Substrat mit metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOCVD) hergestellt wurde. Beim Wachstum wurde lediglich die Wachstumtemperatur der InGaN-Schicht variiert und alle anderen Parameter konstant gehalten.
An dieser Probenserie wurde temperaturabhängig die Photolumineszenz gemessen. Die Intensität der Photolumineszenz, aus der eine mittlere Aktivierungsenergie bestimmt werden konnte, und die Verschiebung des Lumineszenzpeaks sind Indizien für eine Lokalisierung von Elektron-Loch-Paaren. Diese optischen Messungen wurden in Bezug auf In-Cluster korreliert mit Transmissions-Elektronenmikroskopie-Untersuchungen. Zur weiteren optischen Charakterisierung der Clusterung sind Mikrophotolumineszenz-Messungen in Vorbereitung.