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HL: Halbleiterphysik
HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)
HL 27.32: Poster
Mittwoch, 29. März 2000, 14:00–19:00, A
Magneto-Photolumeneszenz-Messungen an homoepitaktisch gewachsenen GaN-Schichten — •Ulrich Stempfle — Abteilung Halbleiterphysik, Universität Ulm, 89069 Ulm
GaN-Schichten, die mittels MOVPE homoepitaktisch auf
GaN-Volumenkristallen hergestellt wurden, zeigen in PL-Messungen
extrem scharfe Linien (FWHM ≈ 100 µeV).
Wir untersuchen die bankantennahen Emissionen von freien
Exziton-Polaritonen (XAn=1) und gebundenen Exzitonen
(D0,XAn=1), (A0,XAn=1) in Magnetfeldern
bis 6 T bei tiefen Temperaturen. In Faraday-Konfiguration
werden jeweils mehrfache Aufspaltungen in zirkular polarisierte
Komponenten und mehrere verbotene Übergänge beobachtet.
Auch im Bereich der Zwei-Elektronen-Übergänge
(1s→2p) des donatorgebundenen Exzitons werden
komplizierte Mehrfachstrukturen beobachtet.
Wir diskutieren die Niveauschemen der Übergänge und
leiten g-Faktoren der beteiligten Elektron- und Lochzustände ab.