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HL: Halbleiterphysik
HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)
HL 27.36: Poster
Wednesday, March 29, 2000, 14:00–19:00, A
Untersuchungen zum In-Einbau in InxGa1−xN-Schichten bei Laserinduzierter Reaktiver Epitaxie — •Torsten Rupp, Nikolai Wieser, Paul Allenspacher und Helmut Schröder — DLR Stuttgart, Institut für Technische Physik, Pfaffenwaldring 38-40, 70569 Stuttgart
Zur Herstellung von InxGa1−xN durch Laserinduzierte
Reaktive Epitaxie (LIRE) wurde eine eutektische InGa-Legierung
mit 17% In-Gehalt in einer N2-Atmosphäre ablatiert
(Nd:YAG, 1064 nm, 30 ps, 2 mJ/Puls). Die bei verschiedenen
Substrattemperaturen deponierten, zwischen 500 nm und 1000 nm
dicken Einzelschichten wurden mittels nichtresonanter und
resonanter Ramanspektroskopie in Hinblick auf ihren In-Gehalt
sowie den Grad der Kompositionsfluktuationen untersucht. Die
Ergebnisse werden mit Röntgenbeugungs- und
Lumineszenzmessungen korreliert. Der beispielweise bei einer
Substrattemperatur von 600∘C erhaltene In-Gehalt von
9% zeigt, daß ein hoher Anteil des im
expandierenden Targetmaterial angebotenen Indiums in die
ternäre Legierung eingebaut wird.