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HL: Halbleiterphysik

HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)

HL 27.38: Poster

Wednesday, March 29, 2000, 14:00–19:00, A

Phononen in kurzperiodischen kubischen und hexagonalen GaN/AlN-Übergittern — •Jan-Martin Wagner und Friedhelm Bechstedt — Institut für Festkörpertheorie und Theoretische Optik, FSU Jena, Max-Wien-Platz 1, 07743 Jena

In einer parameterfreien Berechnung der strukturellen, dielektrischen und der gitterdynamischen Eigenschaften von GaN/AlN-Übergittern mit Hilfe der Dichtefunktionalstörungstheorie untersuchen wir den Einfluss von Schichtung und pseudomorphen Verzerrungen auf die Phononen. Wegen der unterschiedlichen Gitterkonstanten von GaN und AlN sind die Übergitter in der Schichtebene verspannt. Durch die Minimierung der Gesamtenergie bestimmen wir die Geometrie pseudomorpher kubischer [001]- und hexagonaler [0001]-Übergitter, einschließlich der inneren Verzerrung der Grenzschicht, in Abhängigkeit von der Gitterkonstanten in der Schichtebene. Anhand der Schwingungsamplituden zeigt sich, dass teilweise anstatt von LO-Moden quasi reine bzw. stark Stickstoff-dominierte Moden auftreten. Am stärksten verändert sich die Winkelabhängigkeit der AlN-artigen LO-Mode mit der Gitterkonstante in der Schichtebene. Gefaltete akustische und eingegrenzte optische sowie Grenzflächenmoden werden gemäß ihrer Frequenzen und der atomaren Auslenkungen identifiziert.