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HL: Halbleiterphysik
HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)
HL 27.40: Poster
Wednesday, March 29, 2000, 14:00–19:00, A
Clusterung von geladenen Zn-Dotieratomen in GaAs — •F. Kluge1, Ph. Ebert1, U. Semmler1, T. Zhang2,3, M. Simon1, Zhenyu Zhang3,2 und K. Urban1 — 1Institut für Festkörperforschung, Forschungszentrum Jülich, 52425 Jülich — 2Department of Physics, University of Tennessee, Knoxville, TN 37996, U.S.A. — 3Solid State Division, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN 37831-6032, U.S.A.
Die räumliche Verteilung von negativ geladenen Zn-Dotieratomen in GaAs wurde mittels Rastertunnelmikroskopie untersucht. Bei hohen Dotieratomkonzentrationen beobachten wir eine Clusterung von Dotieratomen, was auf die Existenz einer effektiven anziehenden Wechselwirkung zusätzlich zu der abgeschirmten Columbabstoßung zwischen den Dotieratomen schließen läßt. Durch die Analyse der Daten mittels Monte-Carlo-Simulation haben wir die intrinsische Abschirmlänge bei verschiedenen Dotieratomdichten bestimmt und die Ursache der effektiven Anziehung auf starke Vielteilcheneffekte in der Dotieratom-Dotieratom-Abstoßung zurückgeführt.