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Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)

HL 27.7: Poster

Mittwoch, 29. März 2000, 14:00–19:00, A

SiO–Adstrukturen auf nichtpolaren Oberflächen in α–SiC — •E. Rauls1, Z. Hajnal1, P. Deák2, J. Elsner1 und Th. Frauenheim11Universität Paderborn, Fachbereich Theoretische Physik — 2Dept. of Atomic Physics, TU Budapest,Budafoki út 8, H-1111 Budapest, Hungary

Die nichtpolaren (1010)– und (1120)–Oberflächen in 4H– und 6H–SiC, welche die Innenwände von Micropipes bilden, wurden untersucht. Dabei stellen sich die idealen (1010)–Oberflächen in 4H und 6H im Gegensatz zu den bereits früher untersuchten 2H–Oberflächen [1] als ”uneben” heraus. Die Relaxation der Oberfläche wird bei diesen beiden Polytypen dadurch erschwert, daß einige der Oberflächenatome ausschließlich vierfach koordinierte Nachbarn besitzen. Dies führt zu einer vergleichsweise hohen Oberflächenenergie. Eine Stabilisierung wird z. B. durch Si–Adstrukturen erreicht. Si–O–Adstrukturen führen bei Temperaturen unterhalb von ≈1500 K zu einer Energieabsenkung, so daß die Oberflächenenergien im experimentell für die Innenwände von Micropipes gefundenen Energiebereich liegen [2]. Eine aus den gleichen Strukturelementen aufgebaute Adstruktur führt auch bei den (1120)–Oberflächen zu einer Stabilisierung gegenüber der idealen Oberfläche. Mit Hilfe dieser Adstrukturen wurden für beide nichtpolaren Richtungen völlig passivierte Oberflächen gefunden.

[1] E. Rauls, J. Elsner, R. Gutierrez, Th. Frauenheim, Sol. Stat. Comm. 111 (1999) pp. 459–464.

[2] J. Heindl and H.P. Strunk, phys. stat. sol. (b) 193 (1996).

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