Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 3: Amorphe Halbleiter/Epitaxie

HL 3.3: Vortrag

Montag, 27. März 2000, 11:00–11:15, H13

Generations-Rekombinations-Rauschen in p-dotiertem amor phem Silizium — •S.T.B. Goennenwein, A. Kovats, M.S. Brandt und M. Stutzmann — Walter Schottky Institut, Technische Universität München, Am Coulombwall, 85748 Garching

Die Untersuchung von elektronischem Rauschen ist nicht nur für das Design von Bauteilen von Relevanz, sondern ergibt oft auch Hinweise auf grundlegende Transportmechanismen bzw. die entsprechenden Fluktuationsprozesse. Wir stellen elektronische Rauschmessungen an p-dotiertem, hydrogenisiertem amorphem Silizium (a-Si:H) für Frequenzen bis 50 kHz und Temperaturen bis 400 K vor. Die experimentell beobachtete Schulter in der Rauschleistungsdichte bei Frequenzen im Bereich von 10 kHz zeigt ein thermisch aktiviertes Verhalten mit einer Aktivierungsenergie von ca. 250 meV. Ähnliche Untersuchungen an intrinsischem a-Si:H deuten darauf hin, daß Generations-Rekombinations-Prozesse eine wichtige Rolle für das elektronische Rauschen in diesem Material spielen [1]. In einem einfachen Modell ist der Löchertransport der ratenbegrenzende Schritt und bestimmt damit den Frequenzgang der Rauschleistungsdichte. Dementsprechend stellen Rauschuntersuchungen an p-leitendem a-Si:H einen wichtigen Prüfstein für dieses Modell dar. Die Konsistenz der theoretischen Vorhersagen mit den experimentellen Ergebnissen wird diskutiert. Text, genau einmal

[1] P.A.W.E. Verleg and J.I. Dijkhuis, Phys. Rev. B 58, 3904 und 3917 (1998).