Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 33: Hauptvortrag

HL 33.1: Invited Talk

Thursday, March 30, 2000, 15:00–16:00, H15

Gruppe III-Nitride: Von der Materialforschung zum Bauelement — •J. Wagner, H. Obloh, M. Kunzer, P. Schlotter, W. Pletschen, R. Kiefer, U. Kaufmann und K. Köhler — Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik, Tullastraße 72, 79108 Freiburg

Die Gruppe III-Nitride bilden heute die Materialbasis für die Herstellung von optoelektronischen Bauelementen für den kurzwelligen Spektralbereich sowie von Hochfrequenztransistoren für hohe Leistungen und Betriebstemperaturen. Für die Optimierung dieser Bauelemente ist eine genaue Kenntnis grundlegender Materialparameter des (AlGaIn)N Materialsystems erforderlich.

Daher werden zuerst materialspezifische Fragestellungen, wie die Kompositionsabhängigkeit der Bandlückenenergie von InGaN und AlGaN sowie die Bandanordnung in InGaN/GaN Heterostrukturen diskutiert. Ferner wird der Einfluss piezoelektrischer Felder auf die optischen Eigenschaften von InGaN/GaN Quantenfilmen analysiert. Aufbauend auf diesen materialwissenschaftlichen Untersuchungen wird auf die Entwicklung effizienter GaN/InGaN/AlGaN Quantenfilm-Leuchtdioden für den violetten Spektralbereich (400-430 nm) eingegangen.