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16:00 |
HL 36.1 |
Charakterisierung von Silizium-Mehrfach-Quantenpunkten — •Gregor Wetekam, Christof Single, Ralf Augke, Freek Prins, David Wharam und Dieter Kern
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16:15 |
HL 36.2 |
Imprint Lithographie zur Herstellung von metallischen Nanostrukturen und Quantenpunktkontakten — •Ingo Martini, Dominik Eisert, Silke Kuhn, Martin Kamp und Alfred Forchel
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16:30 |
HL 36.3 |
Quantum island formation in CdS/ZnS heterostructures grown by MOVPE — •C. Meyne, U. W. Pohl, W. Richter, M. Straßburg, A. Hoffmann, V. Türck, S. Rodt, D. Bimberg und D. Gerthsen
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16:45 |
HL 36.4 |
Near-field scanning optical spectroscopy of coupled quantum wire-dot structure — •F. Intonti, V. Emiliani, Ch. Lienau, Th. Elsaesser, J. Fricke, R. Nötzel, and K.H. Ploog
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17:00 |
HL 36.5 |
Optimierung des MOVPE-Wachstums von InAs-Quantenpunkt- stapeln mittels in-situ RAS- und Ellipsometrie-Messungen — •Elisabeth Steimetz, Timon Wehnert, Florian Poser, Jörg-Thomas Zettler und Wolfgang Richter
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17:15 |
HL 36.6 |
Wachstum und Charakterisierung von InAs Quantenpunkten auf Silizium — •Lars Hansen, Alexander Ankudinov, Frank Bensing, Joachim Wagner, George Ade, Peter Hinze, Veit Wagner, Jean Geurts und Andreas Waag
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17:30 |
HL 36.7 |
Direkte Herstellung von Ga(Al)As-Einzelelektronentransistoren durch Nanostrukturierung mit einem AFM — •U. F. Keyser, H. W. Schumacher, U. Zeitler, R. Haug und K. Eberl
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17:45 |
HL 36.8 |
Selbstorganisierte Bildung von Quantenpunkten auf III-V Halbleiteroberflächen mittels Ionensputtern — •S. Facsko, T. Dekorsy, T. Bobek, C. Trappe und H. Kurz
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18:00 |
HL 36.9 |
Vertikales Tunneln durch InAs-Quantenpunkte — •C. Bock, K.H. Schmidt, M. Versen, U. Kunze, D. Reuter und A. D. Wieck
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18:15 |
HL 36.10 |
Einzelelektronentunneln durch einzelne InAs-Quantenpunkte in einem Sattelpunktpotential — •M. Versen, K. H. Schmidt, U. Kunze, D. Reuter und A. D. Wieck
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