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HL: Halbleiterphysik
HL 36: Quantenpunkte (Herstellung und Charakterisierung)
HL 36.6: Talk
Thursday, March 30, 2000, 17:15–17:30, H13
Wachstum und Charakterisierung von InAs Quantenpunkten auf Silizium — •Lars Hansen1, Alexander Ankudinov2, Frank Bensing1, Joachim Wagner1, George Ade3, Peter Hinze3, Veit Wagner1, Jean Geurts1 und Andreas Waag1 — 1Physikalisches Institut EP III, Am Hubland, 97074 Wuerzburg — 2on leave from Ioffe Institute, Polytechnicheskaya 26, St. Petersburg, Russia — 3Physikalisch-Technische Bundesanstalt, OE 2.404, Bundesallee 100, 38116 Braunschweig
Ein Ansatz zur Realisierung von optoelektronischen Bauelementen
auf der Basis von Silizium ist die Einbettung von InAs
Quantenpunkten (QP) in eine Siliziummatrix. Wir berichten über
das Wachstum von bis zu 1011 cm−2 InAs QP mittels
Molekularstrahlepitaxie auf Si(001). Bei einer Gitterfehl-
anpassung von 11.5 % beobachten wir ein klassisches Stranski-
Krastanov-Wachstum mit einem 2D-3D Übergang im Wachstumsmodus
oberhalb einer kritischen Schichtdicke von 1.7 Monolagen.
Rasterkraftmikroskopieaufnahmen zeigen Quantenpunkte mit einem
mittleren Radius von 15 nm und Höhen von 5 nm. Die statistische
Schwankung in der Grössenverteilung beträgt noch etwa 25 %.
Eine Schlüsselfrage zur Anwendung in Bauelementen sind
Verspannung und Defektfreiheit der QP. Hierzu stellen wir
vergleichende Untersuchungen mit RHEED, in-situ Raman-
spektroskopie und TEM vor.