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HL: Halbleiterphysik
HL 37: GaN II
HL 37.10: Talk
Thursday, March 30, 2000, 18:15–18:30, H15
MOVPE von Transistorstrukturen auf der Basis von (Al)GaN — •Bertram Kuhn, Oliver Breitschädel, Heinz Schweizer und Ferdinand Scholz — 4. Physikalisches Institut, Universität Stuttgart, 70550 Stuttgart
Für die Herstellung von elektronischen Bauelementen im Hochleistungs- bzw Hochtemperaturbereich, zeichnet sich das Materialsystem (Al)GaN aufgrund hoher Ladungsträgerdriftgeschwindigkeiten und guter Wärmeleitfähigkeit aus. In jedem Falle sind eine möglichst gute Leitfähigkeit an der AlxGaN/GaN Grenzfläche sowie möglichst hochohmiges Verhalten des GaN-Puffers wünschenswert. In diesem Beitrag wird untersucht, durch welche epitaktischen Ma(ß)nahmen die oben erwähnten Anforderungen realisiert werden können. Entscheidende Auswirkungen auf die Kanaleigenschaften hat sicher der Aluminiumgehalt x, denn mit zunehmendem x vergrö(ß)ert sich nicht nur die Energielücke sondern auch die Verspannung und damit der Einflu(ß) der piezoelektrischen Felder. Gleichzeitig nimmt die Materialqualität allerdings ab. Um den Einflu(ß) des Aluminiumgehalts zu klären, haben wir eine Serie von AlxGaN(40 nm)/GaN (3 *m)/Saphir-Substrat (0,12<x<0,35) Strukturen hergestellt und mittels Hallmessung charakterisiert. Aus der Temperaturabhängigkeit der Flächenladungsträgerdichte ns sowie der Beweglichkeit zeigte sich klar, da(ß) die Ladungsträger 2-dimensionale Eigenschaften haben. Der Höchstwert für bei Raumtemperatur lag bei 1200 cm2/Vs bei ns=7,5*1012/cm2.