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HL: Halbleiterphysik
HL 37: GaN II
HL 37.12: Talk
Thursday, March 30, 2000, 18:45–19:00, H15
Phononen in GaN/AlxGaN Supergitterstrukturen — •M. Schubert1, A. Kasic2, J. Off3, B. Kuhn3, F. Scholz3, S. Einfeldt4 und D. Hommel4 — 1University of Nebraska, CMOMR, Lincoln, NE, 68588, U.S.A. — 2Uni Leipzig, Fak. Physik, IEP II, Linnestr. 5, Leipzig — 3Uni Stuttgart, 4. PI, Kristallabor, Pfaffenwaldring 57, Stuttgart — 4Uni Bremen, IFP, FB1, Kufsteiner Str. NW 1, Bremen
Es werden die Eigenschaften der Phononen verspannter GaN/Al−xGa−1−xN
Supergitter untersucht. Die Supergitterstrukturen (Periodenabstand 2.3
... 25nm) wurden mittels MOVPE und MBE auf (0001) Al−2O−3 oder
4H-SiC dargestellt. Die infrarot-optischen Eigenschaften der Supergitter
werden mittels Spektralellipsometrie gemessen. Die so bestimmten Phononenenergien
werden mit den Resultaten von Ramanstreuexperimenten kombiniert.
Anhand der Verschiebung der GaN Phononen kann der Grad der Verspannung in den
Supergittern ermittelt werden. Es wird der Frage nachgegangen, ob das
Supergitter eine gemeinsame in-plane Gitterkonstante besitzt, d.h.
ob der Abbau tensiler Verspannung in den AlGaN "Barrieren" mit dem
Aufbau kompressiver Verspannung in den GaN "Troegen" einhergeht.