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HL: Halbleiterphysik

HL 37: GaN II

HL 37.2: Talk

Thursday, March 30, 2000, 16:15–16:30, H15

Ein Vergleich zwischen Hall-Effekt- Messungen und SIMS- Untersuchungen des flachen Sauerstoffdonators in GaN. — •D. Meister¹, M. Topf¹, W. Burkhardt¹, I. Dirnstorfer¹, S. Röesel¹, B. Farangis¹, A. Hoffmann², H. Siegle², C. Thomsen², J. Christen³, F. Bertram³ und B. K. Meyer¹ — ¹I. Physikalisches Institut der Justus-Liebig-Universität Gießen, Heinrich-Buff-Ring 16, 35392 Gießen — ²Institut für Festkörperphysik, TU Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin — ³Institut für Experimentalphysik, TU Magdeburg, PSF4120, 39016 Magdeburg

Zur spektroskopischen Untersuchung von O in GaN wurden temperaturabhängige Hall-Effekt- und SIMS- Messungen durchgeführt. Über einen großen Ladungsträgerkonzentrationsbereich ist eine gute Korrelation zwischen der atomaren Sauerstoffkonzentration und der Ladungsträgerdichte zu beobachten. Mit SIMS- Messungen ist es möglich, einen Anstieg der Sauerstoffkonzentration zum Substrat hin aufzuzeigen, dieser sauerstoffreiche Gradient erstreckt sich über eine Dicke von 1.5 µ m und verursacht eine temperaturunabhängige Hall-Beweglichkeit und Trägerkonzentration bei Temperaturen < 50K. Der Gradient konnte ebenfalls mittels Raman- und KL- Messungen nachgewiesen werden. Aus Hall-Effekt-, Fourier- Transform- Infrarot- Absorptionsspektroskopie und PL- Messungen ergibt sich eine Sauerstoff Bindungsenergie von 35 meV.